进击的邹同学的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习（dazi.91xjr.com）

本次成绩: 2024/ 11/ 27 星期三

英文文章	文章字数	测试时长	准确率	速度	退格数	出错数	成绩
《Abstract for new memory device》	1508字	30.0分钟	100%	93 CPM	204 次	4	不及格，加强练习！
本次出错的字 ),.,S,2
小小建议: 可能对按键不够熟悉，或者对输入法不够熟练所导致，不要急慢慢来，先打对把准确率提高，然后逐渐的加快速度，最后才能打准打快。
励志名言: 一次挑战就是向自己和他人证明你能力的一次机会。 ——乔·布朗
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文章简介

Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...