进击的邹同学的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习(dazi.91xjr.com)

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本次成绩: 2024/ 12/ 23 星期一
英文文章 文章字数 测试时长 准确率 速度 退格数 出错数 成绩
Abstract for new memory device 1508 30.0分钟 100% 93 CPM 204 4 不及格,加强练习!
本次出错的字 ),.,S,2
小小建议:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
励志名言: 亲之割之不断,疏者属之不坚。 ——韩愈
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文章简介
Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...
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