小键人5329316的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习（dazi.91xjr.com）

本次成绩: 2024/ 12/ 3 星期二

英文文章	文章字数	测试时长	准确率	速度	退格数	出错数	成绩
《Abstract for new memory device》	1508字	10.0分钟	99%	136 CPM	114 次	7	及格，继续努力！
本次出错的字 T,H,n,g,,.,T
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励志名言: 没有坚定不移的信心，任何行动都会失败。 ——华·欧文
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文章简介

Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...