小键人5329316的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习（dazi.91xjr.com）

本次成绩: 2024/ 12/ 3 星期二

英文文章	文章字数	测试时长	准确率	速度	退格数	出错数	成绩
《Abstract for new memory device》	1508字	10.0分钟	99%	136 CPM	114 次	7	及格，继续努力！
本次出错的字 T,H,n,g,,.,T
小小建议: 可能对按键不够熟悉，或者对输入法不够熟练所导致，不要急慢慢来，先打对把准确率提高，然后逐渐的加快速度，最后才能打准打快。
励志名言: 诚信不是一种销售，不是一种高深空洞的理念，是实实在在的言出必行，点点滴滴的细节，诚信不能拿来销售，不能拿来做概念。 ——马云
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文章简介

Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...