Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect,
where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device,
has emerged as an importantconcept in the development...
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《Abstract for new memory device》 | 1508字 | 9.5分钟 | 100% | 156 CPM | 151 次 | 0 | 及格,继续努力! |
小小建议:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
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励志名言: 要知天下事,须读古人书。 ——冯梦龙 | |||||||
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