小键人13373285的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习(dazi.91xjr.com)

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本次成绩: 2024/ 12/ 26 星期四
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Abstract for new memory device 1508 9.5分钟 100% 156 CPM 151 0 及格,继续努力!
小小建议:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
励志名言: 如果只把工作当作一件差事,或者只将目光停留在工作本身,那么即使是从事你最喜欢的工作,你依然无法持久地保持对工作的热情。 ——比尔·盖茨
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文章简介
Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...
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