Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect,
where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device,
has emerged as an importantconcept in the development...
英文文章 | 文章字数 | 测试时长 | 准确率 | 速度 | 退格数 | 出错数 | 成绩 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
《Abstract for new memory device》 | 1508字 | 5.0分钟 | 100% | 226 CPM | 157 次 | 0 | 优秀,成绩不错哦! |
小小建议:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
|
|||||||
励志名言: 读书不趁早,后来徒悔懊。 ——清诗铎 | |||||||
您觉的这篇文章怎么样,评个分吧,做其他人的指路灯 |