小键人5680414的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习(dazi.91xjr.com)

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本次成绩: 2024/ 12/ 24 星期二
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Abstract for new memory device 1508 29.0分钟 100% 151 CPM 94 0 及格,继续努力!
小小建议:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
励志名言: 黄师塔前江水东,春光懒困倚微风,桃花一簇开无主,可爱深红爱浅红。 ——杜甫
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文章简介
Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...
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