鳄鱼宛的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习（dazi.91xjr.com）

本次成绩 2024/ 10/ 2 Wed

英文文章	文章字数	测试时长	正确率	速度	退格数	出错数	成绩
《Abstract for new memory device》	1508字	14.0分钟	99%	173 CPM	137 次	13	良好，向更快挑战！
本次出错字有： N,T,I,H,(,),H,M,S,A,T,n,g
小小提议：可能对按键不够熟悉，或者对输入法不够熟练所导致，不要急慢慢来，先打对把准确率提高，然后逐渐的加快速度，最后才能打准打快。
励志名言：友谊第一，比赛第二。 ——毛泽东
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文章简介：

Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...