羊村小霸王的《Abstract for new memory device》成绩 - 打字成绩 - 在线打字练习(dazi.91xjr.com)

首页/ 成绩/ 成绩详情
本次成绩: 2024/ 11/ 27 星期三
英文文章 文章字数 测试时长 准确率 速度 退格数 出错数 成绩
Abstract for new memory device 1508 8.9分钟 100% 166 CPM 185 0 良好,向更快挑战!
小小建议:
可能对按键不够熟悉,或者对输入法不够熟练所导致,不要急慢慢来,先打对把准确率提高,然后逐渐的加快速度,最后才能打准打快。
励志名言: 真者,精诚之至也,不精不诚,不能动人,——《庄子·渔夫》 欲穷千里目,更上一层楼。 ——王之涣
您觉的这篇文章怎么样,评个分吧,做其他人的指路灯
文章简介
Non-volatile resistive switching, also known as memristor effect, where an electric field switches the resistance statesof a two-terminal device, has emerged as an importantconcept in the development...
常规打字
+2积分

去打字就可以设置个性皮肤啦!(O ^ ~ ^ O)